使用直流电弧炉时,能全部用石油焦代替木炭。石油焦的灰分低(0.3%~0.8%),采用高的硅石(sio2大于99%),可直接炼出制造硅钢片用的高硅。高纯的半导体硅可在1200℃的热硅棒上用氢气还原高纯的sihcl3或sicl4制得。超纯的单晶硅可通过直拉法或区域熔炼法等制备。
切变共格和表面浮凸现象——由于原子不能进行扩散,因而晶格转变只能以切变的机制进行。3)变温形成——m只有在不断降低温度的条件下,转变才能继续进行。4)高速长大——马氏体生长速度极快,片间相撞容易在马氏体片内产生显微裂纹。
1823年,berzelius以氧化矽(硅)的粉末,加以铁,碳的混和物在高温下加热,得到矽(硅)化铁。但是为了抽取纯的矽(硅),他使用矽(硅)-氟-钙的化合物,干烧之后得到的固体,加水分解得到纯的矽(硅)。
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